【加】高密度プラズマエッチング(ICP-RIE)装置
※現在故障中(静電チャック電極からのリーク判明;修理費用(数100万)確保できず断念)のため,利用できません.
![](http://www.ee.utsunomiya-u.ac.jp/yoda-lab/wp/wp-content/uploads/2020/07/image-11.png)
型式 | CE-300I (2011年導入) |
メーカー | ULVAC |
主な仕様 | ・エッチングガス: Ar,Ar+CH4,Ar+H2,CF4,C3F8,CHF3,O2,SF6 ・アンテナRF ・バイアスRF (異方性エッチング) ・ガス圧,ガス流量,流量比 ・冷却He圧力,チラー温度 (基板温度) |
実績 | ■被エッチング材料 レジスト,Si,SiO2,TiO2,Pt ■選択比 SiO2:Si:レジスト=1:(1/30):(1/15) ■選択比 Si:SiO2=1:(1/80) ■選択比 レジスト:TiO2=1:(1/3) ■選択比 レジスト:SiO2=1:(1/1.6) …改善の余地あり ■Ptレート ~1nm/11.5s using Ar |
利用申請先 | 宇都宮大学 機器分析センター |
技術的問合先 | 依田教員(装置管理者)→Contact |