【成】HC-PECVD装置
| 型式 | HC-PECVD（2020年導入） |
| メーカー | AGC-Plasma Technology Solutions，富士R&D |
| 主な仕様 | •カソード： Hollow Cathode(150mmx150mm) •電源： Advanced Energy PEⅡ10K (40kHz, 10kW Max) •排気装置： ALCATEL 1600 M(1600 L/min) •ガス： 酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素 •プリカーサ： TMDSO, HMDSO等 •成膜時 圧力： 0.5Pa以上 •成膜時 基板温度： 50℃以下 •特長： 成膜室が成膜材料で汚染されにくい |
| 実績 | ■SiO2膜（成膜速度 300nm/min） ①3.6m幅での成膜可（大型生産装置として稼働中） ②膜の充填性・膜内残留成分を大きく変更可 ③10μm厚のPETフィルムに熱変形なく成膜可 |
| 利用申請先 | （企業利用のみ）(一社)光融合技術協会 にて実験サポート担当します |
■参考
■関連の研究発表
- 大谷毅, 大桐巧, 依田秀彦, “HC-PECVD成膜されたSiO2薄膜の残留応力と赤外透過率測定,” 応用物理学会春季学術講演会, 25p-E104-7, 2022年3月.
- 大谷毅, 依田秀彦, “HC-PECVD成膜されたSiO2薄膜の特性,” 応用物理学会春季学術講演会, 18a-Z17-11, 2021年3月.
