【成】(白の)RFマグネトロンスパッタ装置

RFマグネトロンスパッタ装置
型式BSC-600A (1992年導入)
メーカーシンクロン
主な仕様RFマグネトロン&反応性スパッタ
ターゲット金属(Ag, Al, Au, Cr, Cu, Mo, Ni, Pt, SUS, Ta, Ti, W, Zr)
ターゲット金属以外(C, Ge, Si, SiO2, ZnS;ITiO, BaTiO3)
ターゲットサイズ:直径4インチ×厚さ5mm,3元
ガス:Ar, Ar+H2, O2, N2
スパッタ制御モード:金属領域,反応性領域
RF印加電力:(アンテナ)最大1kW, (バイアス)なし
膜厚制御方式:成膜時間
実績各種金属膜,Ge,Si,ZnS,酸化膜(GeO2,SiO2,SiOx,TiO2),窒素膜(Si3N4)
a-Si:H 厚膜 (厚さ10μm以上)
SiO2 厚膜 (厚さ3µm,成膜レート0.1nm/s)
a-SiOx:H ARコーティング (NIR用AR)
a-SiOx:H ルゲートフィルタ
金属/Si 多層膜 (MIR用偏光子)
Mo/Ge, W/Ge 多層膜 (一軸異方性)
装置所有依田研究室
装置利用学科△/学部✕/学外× 
*材料や基板によって手間が”かかる”or”かからない”場合あり.ご相談ください

*実績無し:C,酸化膜(Al2O3,BaTiO3,Ta2O5,ZrO2),窒化膜(TiN)
高融点金属の融点